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IXTA200N055T2
IXTP200N055T2
25
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
24.0
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
24
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
23.5
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
V DS = 30V
23.0
V DS = 30V
T J = 125oC
23
22.5
22
I
D
= 50A
22.0
21.5
21
I
D
= 25A
21.0
T J = 25oC
20
19
20.5
20.0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
140
52
30
90
120
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
48
29
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
80
100
80
60
V DS = 30V
I D = 50A, 25A
44
40
36
28
27
26
V DS = 30V
I D = 25A
I D = 50A
70
60
50
40
20
0
32
28
24
25
24
23
40
30
20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
29
t f
t d(off) - - - -
80
140
t f
t d(off) - - - -
240
28
T J = 125oC
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 30V
70
120
100
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
I D = 25A
200
160
27
60
80
120
26
50
60
I D = 50A
80
25
24
T J = 25oC
40
30
40
20
40
0
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
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IXTA220N055T 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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